是单质硅的一种形状，熔融的单质硅在过冷条件下凝结时，硅原子以晶格形状排列成晶核，如这些晶核长成晶面取向不同的晶粒，则这些晶粒结合起来，就结晶成多晶硅

　　硅的首要评判目标是纯度，你想想，假如硅原子之间有一堆杂质，那电子就别想在满轨迹和空轨迹之间跑顺利，不管啥东西，纯度越高制作难度越大，多晶硅依照产品纯度的不同分为工业／金属硅、冶金级、太阳能级、电子级。用于光伏出产的太阳能级多晶硅一般纯度在6N～9N之间（即99．9999％～99．9999999％，几个9便是几N），应用于芯片的硅要求纯度到达11N，具体可参阅半导体全面剖析（三）：制作三大工艺，硅片五大巨子！

　　2020 年全球多晶硅产值 52．1 万吨 500 亿，我国 39．6 万吨 400 亿占 76％（按平均价格10万元／吨测算）

　　西门子法是1955 年德国西门子以氢气H2复原高纯度三氯氢硅SiHCl3，在1100℃硅芯／硅棒上堆积多晶硅

　　改进西门子法又称闭环西门子法，第一步工业硅粉与氯化氢或四氯化硅SiCl4和氢气反响制备三氯氢硅SiHCl3，第二步是三氯氢硅别离提纯，第三步是三氯氢硅和氢气多晶硅复原炉内 1100℃ 硅芯外表堆积生长成多晶硅棒，添加尾气收回工艺

　　FBR 流化床法 Fluidised Bed Reactor 又称欢腾床，原理是将质料像气流相同从流化床反响器底部注入上升到中心加热区进行反响生成硅，下部气体让硅籽晶欢腾处于悬浮状况，硅堆积在硅籽晶上不断生长成硅颗粒沉降到反响器底部排出颗粒硅

　　硅烷流化床法将四氯化硅、H2、冶金硅、HCl 为质料在流化床高温度高压力下氢化生成三氯氢硅，再加氢反响生成二氯氢硅，再生成硅烷气，硅烷气通入流化床热分化（500～700℃）并堆积在硅籽晶（载体）标明发生颗粒硅