工信部揭露寻求对光伏制作业标准条件及公告管理办法（寻求定见稿）的定见，寻求定见稿提出，新建和改扩建企业及项目产品应满意以下要求：

　　1.多晶硅满意《电子级多晶硅》（GB/T12963）3级品以上要求或《流化床法颗粒硅》（GB/T35307）特级品的要求。

　　2.多晶硅片（含准单晶硅片）少子寿数不低于2.5μs，碳、氧含量别离小于6ppma和8ppma；P型单晶硅片少子寿数不低于90μs，N型单晶硅片少子寿数不低于1000μs，碳、氧含量别离小于1ppma和12ppma，其间异质结电池用N型单晶硅片少子寿数不低于700μs，碳、氧含量别离小于1ppma和14ppma。

　　3.多晶硅、P型单晶硅和N型单晶硅电池（双面电池按正面功率核算）的均匀光电转化功率别离不低于21.7%、23.7%和26%。

　　4.多晶硅组件、P型单晶硅组件和N型单晶硅组件（双面组件按正面功率核算）的均匀光电转化功率别离不低于19.7%、21.8%和23.1%。

　　5.CIGS、CdTe及其他薄膜组件的均匀光电转化功率别离不低于16%、16.5%、15%。