据科技日报报道，12月23日，由西安理工大学和西安奕斯伟设备技术有限公司共同研制的国内首台新一代大尺寸集成电路硅单晶生长设备在西安实现一次试产成功。

  报道称，大尺寸半导体硅单晶材料是制约我国集成电路产业高质量发展的“卡脖子”问题。在该领域实现突破，对满足我国集成电路产业高质量发展意义重大。

  据了解，2018年起，西安理工大学刘丁教授团队与西安奕斯伟硅片技术有限公司紧密协作，双方发挥各自的技术创新和市场优势，以开发新一代大尺寸集成电路硅单晶生长设备及核心工艺为目标，针对7-20nm集成电路芯片要求，所研制的面向产业化应用的硅单晶生长成套设备按照集成电路硅单晶材料的要求，成功生长出直径300mm，长度2100mm的高品质硅单晶材料。实现了采用自主研发的国产技术装备，拉制成功大尺寸、高品质集成电路级硅单晶材料的重大突破并实现产业化。

  西安理工大学刘丁教授团队长期从事半导体大硅片生长设备及关键工艺的研究工作，在半导体硅单晶生长领域精耕细作多年，先后主持承担了国家科技重大专项、国家自然科学基金重点项目和地方政府的科技攻关项目。

  关键字：集成电路引用地址：新一代大尺寸集成电路硅单晶生长设备在西安试产成功

  本文分析了传统IC设计流程存在的一些缺陷，并且提出了一种基于Logical Effort理论的全新IC设计方法。众所周知，传统的IC设计流程通常以文本形式的说明开始，说明定义了芯片的功能和目标性能。大部分芯片被划分成便于操作的模块以使它们能分配给多个设计者，并且被EDA工具以块的形式做多元化的分析。逻辑设计者用Verilog或VHDL语言写每一块的RTL描述，并且仿真它们，直到这个RTL描述是正确的。 得到RTL描述之后，接下来是利用逻辑综合工具来选择电路的拓扑结构和门的大小。综合工具比手工花更少的时间得到优化路径和电路图。综合的电路通常逻辑功能是正确的，但时序是基于近似负载模型评估得到的。 电路设计完成之后，开始版图的

  设计方法 /

  上火的IC(2008.11.24-2008.11.30) 欧洲的IC们(2008.12.1—2008.12.7) Semi也玩收储计划(2008.12.8-2008.12.14) 半导体,圣诞快乐！(2008.12.15-2008.12.21) 你上海了我(2008.12.22-2008.12.28) 年终总结(2008.12.29-2009.1.4) 娱乐半导体(2009.1.5-2009.1.11) 喋喋不休(2009.1.12-2009.1.18) 日薄西山(2009.2.1-2009.2.8)

  最常见的开关电源结构是降压转换器，它能高效地将高电压转换为低电压。图1给出了一个典型的降压转换器，其中N沟道MOSFET Q1需要一个浮栅驱动信号。浮栅驱动是PWM（脉宽调制）控制器IC的一部分。根据控制器的设计，Q1可以是N沟道或者是P沟道。遗憾的是，IC的额定电压必须与输入电压同高，这限制了它能处理的极限最高电压。 图2中的电路采取一个简单的电压电平移位器，用一个降压转换器控制一个带低侧IC的导通晶体管，该IC有以地为基准的栅极驱动。由于PWM IC中的电平移位电路不用承受大电压，因此能实现任意高输入电压的转换器。 带低侧栅极驱动的PWM IC可以为N沟道MOSFET供电，当它们有正

  的降压转换器 /

  自从2000年“18号文件”公布以来，中国IC设计业开始发展壮大，IC设计公司数开始迅速增加，短短的五年时间里就增长到400余家。 然而当这些设计企业面对市场之间的竞争时，与跨国IC设计巨头公司相比，由于技术、人才等方面相对薄弱，特别在产业化过程中都遇到了极大困难，因此大部分中国本土IC设计企业都面临着生存问题。中国本土IC设计业和市场在同时呼唤着新生力量的诞生！ 2005年11月18日，在中国航天电子技术股份有限公司(000678.SH)的主导下，采取投资主体多元化的体制，将航天771所和772所集成电路设计资源集中整合，组建了北京时代民芯科技有限公司。大量人才形成了可观的技术团队，同时这个团队多年来积累的技术资源更

  如今市场上在新 LED 节能灯泡上有所投入，可是LED节能灯在调光功能与最佳效能的有效结合上有所欠缺。Marvell的深度调光单阶AC/DC LED驱动 IC方案在减少物料清单(BOM)，降低机板空间的前提下为我们很好的解决这一问题。 Marvell宣布，其88EM8183深度调光单阶AC/DCLED驱动IC，获三星新一代LED节能灯泡制造所选用。由Marvell技术支援的三星全新产品有A19、凸面反射灯罩(BR)以及抛物形铝反射灯罩(PAR)灯泡，预订将于下月起于零售通路开始贩售。 Marvell指出88EM8183LED驱动IC于2012年2月推出，可提供业界最广泛的调光器相容性、所需零组件数为业界最少、同时支援

  引言 RFID标签芯片的灵敏度是芯片刚刚被激活所需的最小能量。灵敏度是标签芯片最重要的性能指标，它的大小直接影响RFID标签的性能，例如标签 读/写距离等。因此标签芯片灵敏度准确测试是芯片测试的重要内容之一。在某一频段内，绝大多数芯片厂商仅仅给出芯片一个灵敏度值，而没有标识出芯片灵敏度 随频率的变动情况。利用本文所描述的灵敏度测试方法测试芯片的灵敏度，能够得到芯片在800～1000MHz频段内的灵敏度变化曲线，对于实际应用更有参 考价值。准确测试芯片灵敏度随频率的变动情况对于芯片研发人员和芯片的实际应用都具备极其重大的意义。 1 芯片灵敏度测试原理 将经过封装的芯片引脚焊接到阻抗为50 的SMA连接器，将SMA头通

  1.工作原理 接通电源后，加热电阻通过继电器的常闭触点接人220V交流电路中，加热开始。此时温度为常温，负温度系数的热敏电阻为lOkΩ，随着加热的进行，Rt阻值不断下降，Uref开始上升，此时调节Rpl亦可改变决定温度的上限温度控制点T1。 当温度达到控温点时．Rt=Rtl，Uref=UCC*R2/（R2+R11上》2.5V，运算放大器输出为高电平，内部三极管导通，继电器吸合．常闭触点断开，加热停止。同时继电器的另一组常开触点闭合，使Rp2+R3与R11并联，使Uref进一步上升，此电路是一个简单的滞回电路。 通过调节Rp2可调节温控器的下限温度控制点T2。随着加热的停止，温度开始慢慢的回落．Rt逐步增大，即当

  图 /

  Power Integrations推出InnoSwitch5离线反激式开关

  零电压开关(ZVS)反激式拓扑结构加上先进的SR FET控制技术， 可实现95%的效率、缩小电源尺寸并减少元件数目 美国加利福尼亚州圣何塞，2024年1月30日讯 – 深耕于高压集成电路高能效功率变换领域的知名公司Power Integrations 今日宣布推出InnoSwitch™5-Pro系列高效率、可数字控制的反激式开关IC。这款单芯片开关IC采用创新的次级侧控制方式，无需额外使用高成本的专用高压开关就可以实现零电压开关(ZVS)，效率超过95% 。这款新IC内部集成750V或900V PowiGaN™初级开关、初级侧控制器、FluxLink™隔离反馈功能和具有I2C接口的次级控制器，可优化紧凑型、高效率单口或多口USB

  应用基础 (诸林裕)

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  2024年2月26日，西班牙，巴塞罗那 今日，OPPO在2024年世界移动通信大会（MWC 2024）宣布将全面发力AI领域，并携多项最新创新产品与 ...

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