据外媒报导，11月11日，印度国防研讨与开展安排（DRDO）部属的固体物理实验室已成功开宣告本乡一种工艺，能够成长和制作直径为4英寸的碳化硅（SiC）晶片。此外，他们还已制作出功率高达150W的氮化镓（GaN）HEMT以及功率为40W的单片微波集成电路（MMIC），这一些器材能够在最高X波段频率的使用中发挥作用。

　　印度国防部表明，SiC/GaN技能是国防、航空航天和清洁动力范畴下一代使用的要害推进要素。这类先进的技能可进步器材功率、减小尺度和分量，并增强功能，使其在未来作战体系、雷达、电子战体系和绿色动力解决方案发挥重要作用。

　　跟着未来作战体系对更轻、更紧凑电源的需求一向增加，碳化硅/氮化镓技能为军事和商业范畴的通讯、情报、侦查和无人体系(包含电动轿车和可再次出产的动力)供给了重要根底。

　　报导还指出，坐落海得拉巴邦的SiC/GaN技能中心，可通过本乡技能开端出产碳化硅基氮化镓（GaN-on-SiC）MMIC，可满意新一代太空、航空航天和 5G/卫星通讯的广泛使用。

　　据集邦化合物半导体了解到，本年印度多个SiC/GaN项目有新进展，详细如下：

　　本年6月中旬，总部在印度钦奈的SiCSem宣告，计划在印度奥里萨邦树立一座包含碳化硅（SiC）制作、拼装、测验和封装（ATMP）工厂。

　　与此一起，SiCSem与印度理工学院布巴内斯瓦尔分校（IIT-BBS）就化合物半导体范畴研讨事宜签署了协作协议。依据协议，两边之间首个项目是在IIT-BBS完成SiC晶体成长的本乡化。这一项目专心于6英寸和8英寸SiC晶圆的大批量出产，预估耗资4.5亿卢比。

　　8月5日，印度首家半导体芯片制作商Polymatech正式收买了美国公司Nisene。据悉，Nisene在Si和SiC资料方面的具有专业相关常识，结合Polymatech的蓝宝石基半导体技能，将协助后者成为一家多晶圆公司。

　　9月20日，印度Zoho集团宣告，计划在印度奥里萨邦Khurda区出资303.4亿卢比建造一座SiC制作工厂。

　　该工厂的规划将掩盖整个SiC出产链，从晶锭制作到晶圆、MOSFET、模块，再到后续的改装和封装。工厂年产能估计包含7.2万片SiC外延晶圆、7.2万个MOSFET和模块，产品将使用于电动轿车、轿车及可再次出产的动力范畴。

　　该工厂将专心于为国家安全、下一代电信和绿色动力使用供给先进的感应、通讯和电力电子技能，出产红外、GaN和SiC芯片。据悉，印度半导体使命以及巴拉特半导体公司、3rdiTech公司和美国太空部队的战略技能协作将为其供给支撑。

　　该笔资金将用于进步4英寸GaN-on-SiC外延片的出产质量，满意射频器材的需求，一起进步6英寸GaN-on-Silicon晶圆的出产能力，以应对功率器材商场需求。

　　资金还将用于增强器材的可靠性，契合商场的多种规范。此外，这笔出资还将支撑原型开发，尤其是面向印度本乡商场的功率器材和电信范畴的射频器材。

　　近年来，跟着以SiC、GaN为代表的第三代半导体开展迅猛，促进一些国家开端注重该工业的开展。印度本年多个三代半项目落地，能够从旁边面反映其在推进本乡技能和工业高质量开展方面的决计。