现如今，进步太阳能电池的转化功率和削减相关成本是太阳能电池技术发展的干流，因而该方面的常识也很重要，今天小编为我们总结了一套晶体硅太阳能电池的制作工艺流程供我们学习与参阅，欢迎各位一同沟通与讨论!

　　用惯例的硅片整理洗刷办法清洗，然后用酸（或碱）溶液将硅片外表切开损害层除掉30－50um。

　　选用涂布源（或液态源，或固态氮化磷片状源）进行分散，制成PN＋结，结深一般为0.3－0.5um。

　　分散时在硅片周边标明发生的分散层，会使电池上下电极短路，用掩蔽湿法腐蚀或等离子干法腐蚀去除周边分散层。

　　用真空蒸镀、化学镀镍或铝浆印刷烧结等工艺。先制作下电极，然后制作上电极。铝浆印刷是很多选用的工艺办法。

　　为了削减入反射丢失，要在硅片外表上掩盖一层减反射膜。制作减反射膜的资料有MgF2 ，SiO2 ，Al2O3 ，SiO ，Si3N4 ，TiO2 ，Ta2O5等。工艺办法可用真空镀膜法、离子镀膜法，溅射法、印刷法、PECVD法或喷涂法等。

　　由此可见，太阳能电池芯片的制作选用的工艺办法和半导体器材根本相同，出产的工艺设备也根本相同，但工艺加工精度远低于集成电路芯片的制作要求，这为太阳能电池的规划出产供给了有利条件。回来搜狐，检查更加多