选用三组12KV镇压电源对∏型硅棒进行镇压，使得硅棒由高阻态转化至低阻态。

　　选用软启动使得电流逐渐上升，以此来完成对硅棒继续加热，使其温度上升至设定值。

　　调理输出电压电流使得硅棒温度恒定在设定温度，为多晶硅的化学锻炼供给适合的环境。

　　多相并联Buck电路一般有两种根本拓扑，左图为每相Buck电路各用一个电感的拓扑，右图为两相Buck电路共用一个电感的拓扑。这两种拓扑选用交织操控后合路电流的等效频率为支路电流的两倍。比较于非交织操控，交织操控挑选较小的电感即可到达相应的电流纹波率目标。

　　此阶段1组IGBT斩波器对应1对∏型硅芯棒独自加热，输出电压规模为160V至750V左右，输出电流规模60A至600A左右，当独自运行时每个Buck电路输出的电压小于160V时，独立供电不足以满意硅棒电压、电流要求，经过接触器

　　第二阶段经过接触器开关将每3组Buck电路输出并联起来，向串联的3对∏型硅芯棒供电，输出电压规模仍然为160V- 750V，并联输出电流规模为500A-2600A。

　　IGBT模块的集电极电流变大时，同态阻抗上升，产生的稳态损耗就变大。开关损耗也相同添加使元件发热。因为需要将IGBT、FWD的结温操控在150℃以内运用。因而选定IGBT的额定电流非常重要。

　　挑选IGBT模块电流时，应最大极限地考虑主电路的作业形式，剖析各个作业状况时IGBT的电流应力状况，分外的留意非线性元件和线路杂散参数的影响。作为大体规范，一般在设备的电流值≤元件的额定电流状况下运用。