金融界2025年1月28日音讯，国家知识产权局信息数据显现，上海华虹宏力半导体制作有限公司请求一项名为“改进回刻蚀描摹的办法”的专利，公开号CN 119361430 A，请求日期为2024年9月。

　　专利摘要显现，本发明供给一种改进多晶硅回刻蚀描摹的办法，供给衬底，在衬底上构成外延层，在外延层上的沟槽栅器材区和栅极引出区上构成沟槽，在沟槽中以及外延层的标明发生场氧化层，之后构成掩盖沟槽的栅极多晶硅层；进行第一次刻蚀，以刻蚀栅极多晶硅层至沟槽的上外表处，之后在栅极引出区上构成刻蚀保护层；进行第2次干法刻蚀，第2次干法刻蚀为各向异性的多晶硅回刻蚀，使得刻蚀后剩下的栅极多晶硅层高于预设厚度，栅极多晶硅层上标明发生有V形裂缝；进行第三次干法刻蚀，第三次干法刻蚀选用微波式反响刻蚀并使用微波式反响刻蚀完成等向刻蚀，以刻蚀栅极多晶硅层至预设厚度。本发明可以改进栅极多晶硅层回刻蚀后的描摹，栅极多晶硅层外表无V形裂缝。

　　天眼查资料显现，上海华虹宏力半导体制作有限公司，成立于2013年，坐落上海市，是一家以从事计算机、通讯和其他电子设备制作业为主的企业。企业注册本钱2046092.7759万人民币，实缴本钱2046092.7759万人民币。经过天眼查大数据分析，上海华虹宏力半导体制作有限公司共对外出资了7家企业，参加招投标项目840次，知识产权方面有商标信息39条，专利信息5000条，此外企业还具有行政许可428个。

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