11月14日，天岳先进官微发表，2024德国慕尼黑半导体博览会（Semicon Europe 2024）于11月12日正式开幕，天岳先进携全系列碳化硅（SiC）衬底产品露脸，并于11月13日发布了12英寸（300mm）N型碳化硅衬底产品，标志着碳化硅工业正式迈入超大尺度碳化硅衬底年代。

　　据介绍，12英寸碳化硅衬底资料，能够逐渐扩展单片晶圆上可用于芯片制作的面积，大幅度的进步合格芯片产值。在平等出产条件下，显着提高产值，下降单位本钱，逐渐提高经济效益，为碳化硅资料的更大规划使用供给或许。

　　另据天岳先进官微音讯，天岳先进近来向客户成功交给高质量低阻P型碳化硅衬底。天岳先进表明，高质量低阻P型碳化硅衬底将加快高性能SiC-IGBT的开展进程，完成高端特高压功率器材国产化。

　　据介绍，针对高压大功率电力电子器材用P型碳化硅单晶衬底存在的本钱高、电阻率高、缺点操控难度大等技能难题，天岳先进布局液相法技能，在2023年发布了8英寸碳化硅晶体，并于2024年推出了选用液相法制备的4度偏角P型碳化硅衬底。

　　据悉，液相法具有成长高质量晶体的优势，在长晶原理上决议了能够成长超高质量的碳化硅晶体。天岳先进现在在液相法范畴获得了低贯穿位错和零层错的碳化硅晶体。其经过液相法制备的P型4度偏角碳化硅衬底，电阻率小于200mΩ·cm，面内电阻率散布均匀，结晶性杰出。