【国产8英寸碳化硅量产加快！职业龙头一再联手世界功率半导巨子 制作设备亦迎打破】有工业人士称，本年将会是8英寸碳化硅元年。本年以来，世界功率半导体巨子Wolfspeeed、意法半导体等加快开展8英寸碳化硅。而国内商场来看，碳化硅设备、衬底及外延环节亦迎来打破性开展，而且多家职业龙头挑选与世界功率半导体巨子联手。

　　三安光电宣告，旗下子公司湖南三安8英寸碳化硅衬底已完结开发，产品进入小批量出产及送样阶段。

　　据介绍，湖南三安依托精准热场操控的自主PVT工艺，8英寸衬底完成更低本钱及更低缺点密度，后续将继续提高良率，加快设备调试与工艺优化，并继续推动湖南与重庆工厂量产进程。

　　据了解，2021年6月，总投资160亿元的湖南三安半导体工业园项目一期正式点亮投产；2022年7月，项目二期开建，总投资为80亿元，达产后配套年产能为36万片。本年6月，宣告与意法半导体签署协议，将在重庆树立8英寸器材合资制作厂。依照计划，该合资厂悉数建造总额估计约达32亿美元（约合227.8亿人民币），将于2025年第四季度投产，估计在2028年全面建成。

　　是我国第一家、全球第三家完成全工业链笔直整合的企业，工业链布局包含长晶—衬作—外延成长—芯片制备—封装。“碳化硅工业高质量开展初期完成笔直整合，能很好应对不同场景的牢靠性问题。”一名工业人士如是称。

　　三安光电碳化硅器材上车开展加快。据了解，该公司推出了650V-1700V宽电压规划的SiC MOSFET，产品具有高性能、高一致性和高牢靠性等特色，并可依据客制化要求，供给多种灵敏工艺计划。其间，1700V/1000mΩ MOSFET首要运用在光伏逆变器的辅佐电源，1200V/75mΩ MOSFET则首要运用在于新能源轿车的OBC，两款产品均处于客户端导入阶段，将逐渐批量供货；1200V /16mΩ车规级芯片已在战略客户处进行模块验证，估计于2024年正式上车量产。

　　碳化硅职业三个要点环节（衬底、外延和器材）中，衬底在工业链中价值量占比最高，挨近50%。碳化硅商场以6英寸为干流，而8英寸可以出产的晶粒数约为6英寸SiC晶圆的1.8倍，晶圆利用率和产能将会明显提高，可将单位归纳本钱下降 50%。

　　有工业人士称，本年将会是8英寸碳化硅元年。本年以来，世界功率巨子Wolfspeeed、等加快开展8英寸碳化硅。而国内商场来看，碳化硅设备、衬底及外延环节亦迎来打破性开展，而且多家职业龙头挑选与世界功率巨子联手。

　　除三安光电外，天科合达上一年年末发布8英寸导电型碳化硅衬底产品，并宣告将于本年内完成8英寸导电型碳化硅衬底小规划量产。本年5月，天科合达与英飞凌签署长时间协议，天科合达将供给200毫米（8英寸）直径碳化硅资料，协助英飞凌向200毫米直径晶圆的过渡。

　　天岳先进此前亦曾表明，公司已具有8英寸导电型碳化硅衬底的量产才能。在本年的Semicon China展会上，发布了业界创始的选用液相法制备出了低缺点的8英寸晶体，通过热场、溶液规划和工艺立异，打破了碳化硅单晶高质量成长界面操控和缺点操控难题。在本年5月与英飞凌签订了一项新的晶圆和晶锭供给协议，供货碳化硅6英寸衬底、协作制备8英寸衬底。

　　晶盛机电此前宣告，公司已把握职业抢先的8英寸碳化硅衬底工艺和技能，成功成长出8英寸N型碳化硅晶体，处理了8英寸碳化硅晶体成长过程中温场不均，晶体开裂、气相质料散布等难点问题。此前亦宣告将会在本年内完成8英寸产品小批量量产。

　　科友半导体完成了6英寸SiC单晶衬底的规划出产和批量供货，以及8英寸SiC单晶衬底的小批量出产及供货。本年9月，科友第一批自产8英寸SiC衬底，于科友产学研集合区衬底加工车间成功下线。

　　在碳化硅设备方面，成功推出8寸单片式碳化硅外延设备，可兼容6英寸/8英寸碳化硅外延，外延的厚度均匀性1.5%以内、掺杂均匀性4%以内，到达职业抢先水平。

　　晶升股份已向多家客户交给8寸碳化硅长晶设备。据公司称，部分客户现已取得了必定的研制效果，正在一直在优化工艺制程。碳化硅单晶炉事务已掩盖国内碳化硅工业链触及衬造的首要厂商，已完成对国内产销规划较大、工业链布局较为完善的IDM企业——三安光电的批量供给。