曩昔几年，全球各大公司都在出资8英寸SiC产线，现在这些出资正在慢慢地投入运营。

　　在全球SiC商场，意法半导体（ST）、安森美、英飞凌、Wolfspeed、罗姆、博世、富士电机、三菱电机、国际先进半导体（VIS）、EPISIL、士兰微电子、UNT等公司均已宣告方案建造自己的8英寸SiC芯片工厂（如图所示）。其间许多公司也在上游衬底和外延资料范畴取得了发展。

　　意法半导体（ST）：意法半导体本年5月31日宣告在意大利卡塔尼亚建造新的8英寸SiC工厂，整合SiC出产的根本工艺的一切的环节。新工厂估计2026年开端出产，2033年到达满负荷，最高产能为每周15000片晶圆，估计总出资额约为50亿欧元。

　　意法半导体与我国三安光电合资在我国重庆建造的8英寸碳化硅（SiC）制作工厂将成为意法半导体的第三个SiC出产中心。该项目于2023年6月7日宣告，估计将于2025年第四季度投产，估计2028年全面竣工。

　　安森美：安森美坐落韩国富川的SiC晶圆厂已于2023年完结扩建，方案在完结技能验证后，于2025年过渡至8英寸出产。到时产能将扩展至现在规划的10倍。

　　英飞凌：2024年8月8日宣告，坐落马来西亚居林的8英寸SiC功率半导体晶圆工厂一期真实开端运营，估计2025年完结规划化出产。该项目一期出资额为 20 亿欧元，英飞凌还方案在未来五年内再投入多达 50 亿欧元进行二期建造。一期项目要点出产碳化硅功率半导体，一起也包括部分氮化镓外延出产。

　　Wolfspeed：Wolfspeed具有全球首座、尖端规划的8英寸SiC工厂，坐落美国纽约州莫霍克谷，于2022年4月正式开业。到本年6月，该工厂已完结20%的晶圆使用率。

　　2023年1月，Wolfspeed与轿车零部件供货商ZF宣告方案在德国萨尔州建造全球最大、最先进的8英寸SiC器材制作工厂。这一项目现在已被推延，现在估计最早也要到2025年才干开工。

　　ROHM：在日本福冈县筑后市建造SiC新工厂，2022年开端量产，方案2025年完结从6英寸晶圆出产过渡到8英寸晶圆出产。2023年7月，ROHM宣告方案2024年末在日本宫崎县第二工厂开端出产8英寸SiC基板。

　　博世：博世坐落德国罗伊特林根的工厂于2021年开端出产6英寸SiC晶圆，现在该工厂也出产8英寸SiC晶圆。坐落美国罗斯维尔的工厂估计将于2026年开端出产8英寸SiC晶圆。

　　三菱电机：本年5月下旬宣告，坐落日本熊本县的8英寸SiC工厂将于2025年9月竣工，投产时刻从2026年4月提早至2025年11月。三菱电机做出这一调整是为了呼应微弱的商场需求，其半导体和器材事业部高档执行官兼总经理表明，轿车和工业应用范畴 SiC 功率半导体的咨询正在添加，经过出产 8 英寸产品（与现有产品比较出产功率更加高）可应对需求的增加。

　　富士电机：本年1月，富士电机宣告未来3年（2024～2026财年）出资2000亿日元用于SiC功率半导体出产，其间日本松本工厂的8英寸SiC产能估计于2027年投产。

　　联合利华：在绍兴越城区建造首条8英寸SiC MOSFET晶圆出产线月完结工程批次，估计下一年完结量产。

　　士兰微电子（Silan）：本年6月18日，我国首条8英寸SiC功率器材制作线项目在厦门真实开端发动，总出资120亿元人民币。项目分两期建造，年产能为72万片8英寸SiC功率器材芯片。一期出资70亿元人民币，估计2025年三季度末完结开端并网，四季度试产，年产量方针为2万片晶圆。二期出资约50亿元人民币。

　　国际先进半导体（VIS）与EPISIL：国际先进半导体9月10日宣告，拟出资24.8亿新台币收买EPISIL 13%股权，两边将协作研制及出产8英寸SiC晶圆技能，估计2026年下半年完结量产。

　　泰国首家SiC工厂：近来，泰国合资公司FT1 Corporation出资115亿泰铢（3.5亿美元），使用从韩国芯片制作商转让的技能，建造泰国首家SiC工厂，出产6英寸和8英寸晶圆。该工厂估计将于2027年第一季度投产，以满意轿车、数据中心和储能商场日渐增加的需求。

　　前述14家SiC工厂（其间12家在建）中，现在仅有Wolfspeed的Mohawk Valley工厂短期内可以供给8英寸SiC晶圆，其他厂商估计下一年起将连续开端供给8英寸SiC晶圆。