金融界2024年10月26日音讯，国家知识产权局信息数据显现，新余赛维铸晶技能有限公司请求一项名为“籽晶组件、铸造单晶硅锭的成长办法及其铸造单晶硅锭”的专利，揭露号CN 118814267 A，请求日期为2023年6月。

　　专利摘要显现，本发明请求揭露一种籽晶组件、铸造单晶硅锭的成长办法及其铸造单晶硅锭，触及铸造单晶硅锭技能领域，本请求供给的一种籽晶组件，适用于铸造单晶硅锭的制备，包含：籽晶层；所述籽晶层为p型籽晶和n型籽晶替换拼接而成，恣意相邻的p型籽晶之间设有n型籽晶，恣意相邻的n型籽晶之间设有p型籽晶，其间，所述p型籽晶和n型籽晶的电阻率为0.1~1 Ω·cm。本请求经过在铸造单晶硅锭的坩埚底部替换铺设电阻率范围在0.1~1 Ω·cm的p型籽晶和n型籽晶，使得籽晶之间的拼接缝及其相邻侧壁区域构成15μm≤pn结深度≤50μm的pn结区域；大大下降了引晶缺点，提高了铸造单晶硅锭的质量。

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