在其上构成台阶（４）的作为籽晶的绝缘衬底（１）上淀积单晶硅，构成硅外延层（７）。在低温乃至在其有相对低应变点的大玻璃衬底上均匀成长硅外延层（７），使它可能在其上制造大电流密度的高速半导体元件。

　　一种具有中心轴、一般垂直于中心轴的正面和不和、正面与不和之间的中心平面、外围边际、以及从中心轴延伸到外围边际的半径的单晶硅晶片。此晶片包括榜首和第二轴对称区。榜首轴对称区从外围边际向内径向延伸，含有硅自填隙作为占优势的本征点缺点，且根本上无集合的填隙缺点。第二轴对称区以空位为占优势的本征点缺点，它包括从正面向中心平面延伸的表面层和从表面层向中心平面延伸的本体层，其间存在于表面层中的集合空位缺点的数量密度低于本体层中的浓度。

　　本发明触及一种硅－绝缘体（SOI）结构，它有一层低缺点密度器材层，还能够有一具有较好吸附杂质才能的基底硅片。该器材层包括一中心轴，一圆周边际，一个从中心轴延至圆周边际的半径，以及一个榜首轴对称区，其间根本没堆积本征点缺点。别的本发明还针对这样一种SOI结构，其有一片切氏单晶硅基底硅片，该基底硅片在饱尝简直恣意电子学器材制造的进程都要选用的热处理周期时，能够构成一个抱负的氧淀析物非均匀深度分布。

　　一种触及微机械和微电子范畴的用于标定单晶硅晶圆晶向的办法。经过一套精心设计的比对图画和随之而进行的预刻蚀加工，将晶圆的晶向明晰地露出出来，经过调查不同的比对图画所构成的刻蚀成果，能够将晶圆的晶向标定差错控制在0.1之内，选用数字图象处理技能对刻蚀成果作进一步的处理，则该标定精度还能大大的提升到0.05或许更高的水平。

　　一种出产单晶硅锭的Czochralski法具有一均匀的热进程。在该办法中，在晶锭的主体和尾锥成长的整一个完好的进程中使加到旁边面加热器上的功率坚持根本上稳定，而在主体的第二个一半和尾锥成长进程中逐步添加加到底部加热器上的功率。本办法能得到一种晶锭，使从该晶锭出产出的晶片具有较少超越约0.2微米的光点缺点，一起具有改进的栅氧化层完好性。